想想看，英特尔在德克萨斯，建的那些芯片工厂，随便一家投入那都是以百亿美元为单位的。

没有一个是低于一百亿美元的…

特极点和三桑也莫不如是。

而星火科技投建的芯片工厂，那自然是更不便宜。

尤其是他们生产的可是碳纳米管芯片，不是硅基芯片。

所以这里面虽然有一部分使用的工艺，和设备是相同的。

但却还有将近百分之四十左右的工艺，和使用设备，是不一样的。

而这些工艺都要不断的摸索，尝试，然后完善。

生产设备也一样，需要自己来研发制造。

这中间就有很多试错的过程，而这试错，那可都是需要成本的。

最后这些成本，都要摊入到研发费用里面去的。

既然目前28纳米制程的碳纳米管芯片，已经是独孤求败的地位了。

那星火科技这边，也就不急于向前赶了。

按照他们的预计，在阿斯麦没有研发出2纳米制程的光刻机，在三桑和特极点没有研发出2纳米制程的硅基芯片之前。

他们的28纳米制程的碳纳米管芯片还是这个星球上最顶级的存在。

以前他们以为28纳米制程的碳纳米管芯片，最多也就是和当下顶级的5纳米制程芯片同一个级别。

可实际上在进行测试比对之后，他们才发现这28纳米制程的碳纳米管芯片，其实是完全碾压5纳米制程的硅基芯片的。

因为碳纳米管芯片在仿制电子逃逸，干扰，以及散热方面有着先天的优势。

所以这款芯片有着很深的潜力可以挖，尤其是他们那在不断优化，碳纳米管的排列布置之后。

这些工艺不断改进之后，哪怕制程方面没有突破，但28纳米的碳纳米管芯片性能却在不断提高。

目前他们的这个制程的碳纳米管芯片不但，碾压当下主流的5纳米制程的硅基芯片。

甚至即便三桑和特极点，完善了3纳米制程硅基芯片的制造技术，也一样要跪在他们面前叫爸爸。

甚至他们最新一代的28纳米制程碳纳米管芯片下线之后，从性能方面已经完全碾压了英特尔目前最顶级的14纳米i9。

甚至可以碾压他两遍……