第四百一十章:SiGe BiCMOS(1 / 3)

三天的闭门会谈过后,双方一直决定,开阳半导体接受来自苏联首批五十位技术人员的访问学习。

并且这五十人也是有要求,必须要从苏联各大半导体电子产业相关单位分别抽调,来自同一家单位的技术人员不能超过五人以上,这是最基本要求。

闭门会谈过后,双方进入到第二轮高峰论坛,就软件开发、半导体无线通讯等领域展开互相了解,增进双方技术互信。

孟怀英这时候终于能够抽出时间,之前她都在os无线射频芯片的设计方面埋头工作,经过为期三年时间的艰苦攻关,这才初步解决os射频芯片所存在的问题。

用于中文传呼机使用的射频芯片设计已经全面冻结,正准备交付工艺部门进行产品批产工艺相关设计。

&ns射频芯片和os光学传感器的影响力大致差不多,都是能够对某一行业产生巨大变革的技术,孟怀英现在很自信,他可以站在中苏半导体集成电路高峰论坛上,尽情地演讲自己科研成果。

......

&ns射频芯片,至少在来自苏联的代表团当中,便有一位莫斯科国立特种工程设计院的大佬,人家是专门研究无线通讯这方面,目前属于全球顶尖梯队。

世界上最先发明无线电话的,实际并非美国人,早在1957年,苏联工程师列昂尼德.库普里扬诺维奇发明了Лk1移动电话。

1958年,列昂尼德.库普里扬诺维奇对移动电话做了进一步改进,设备重量从3公斤减轻至500克(含电池重量),外形精简至两个香烟盒大小,可向城市里的任何地方进行拨打,可接通任意一个固定电话。到60年中期,库普里扬诺维奇的移动电话已能够在200公里范围内有效工作。

苏联大规模普及的移动通讯设备称之为“阿尔泰”,在布鲁塞尔世博会上获得金奖,到1970年,“阿尔泰”系统已在30多个城市中为人们普及,比起美国人确实要强了太多。

国内有庞大的无线通讯市场,苏联在移动电话领域走在世界最前沿,人家有资格提出疑问。

“这位女士,既然你从事射频芯片研发,并且也提到要将射频芯片主要服务于无线通讯市场,那么我有一个问题很疑惑,os射频芯片功率过低的问题,您要如何解决?”

毛子说话很直接,直接提到当前最不好解决的问题上,而这同样也是国际难题。

&ns光学传感器过程中遇到暗电流噪声问题一样,后来教授通过一系列工艺设计来巧妙解决,并最终推出高性价比的os光学传感器,从此一举奠定学术大牛地位。

&ns射频芯片,也遇到学术界公认的固有缺陷:功率过低。

&ns工艺来研发射频芯片,固有问题在于功率过小,它确实无法和同时期的砷化镓射频芯片相比,目前横亘在全世界科研界面前头等难题便在于此,不过我们团队成功开发出一次os混合结构,从而能够解决功率过小问题,使其可以初步满足中低功率微波射频所需。”

&ne&ns工艺,中文全称为:硅锗双极互补金属氧化物半导体,这东西在功率上面相对还算勉强能接受,并且还完美继承os工艺加工流程,成本也足够低廉,是一种很不错的半导体射频工艺技术。

&ne&ns工艺产品性能优点在于成本低,并且功率相对不错,甚至在2000年之后的相控阵雷达大爆发时代,一些不法分子以次充好,为了降低成本,便采用si&ns工艺t/r组件来制造相控阵雷达。

好吧,这只是开个玩笑而已,采用采用si&ns工艺制造的t/r组件功耗低、成本低、集成度高,被广泛用于t/r组件小型化和成本控制方面,其中以x波段相控阵雷达最有使用价值。

&ne&ns工艺的t/r组件不仅适用于x