第四百一十章:SiGe BiCMOS(2 / 3)

波段相控阵空天预警雷达,在ka波段的t/r组件方面,因为集成度高、体积小,因此被运用于主动雷达导引头。

所谓主动雷达导引头,区别就在于美帝的ai7麻雀家族和ai120阿姆拉姆之间,前者因为导引头研发时代的工艺水平限制,无法容纳雷达发射机及接收机,即便勉强上马,这种导引头最终也只能用于ai54上面。

直到固态电子及集成电路出现,雷达组件可以有望实现小型化,才在空空导弹内实现雷达波的发射及接收一手包办,而这便是主动雷达导引头的作用。

美帝有了小型化的主动雷达导引头,所以搞出ai120这种神器,而共和国现在却只能捣鼓ai7家族改进而来的半主动雷达导引头:霹雳11。

这两种导弹之间有巨大地差距,要说这种代差,大概跟三代机与四代隐身机之间差不多,完全是吊打。

所以嘛....

有的时候,军用和民用之间差距真的很小,孟怀英原本只是为了实现os射频芯片功率大,才弄出si&ns工艺,却没想到她搞出来的技术拥有非常广阔地军用前景。

&ne&ns工艺成功之际,由于当时射频芯片在607所的微波暗室进行测试,结果出来之后,便被607所大神们敏锐地发现其军用价值,这时候甚至都已经开始组件团队基于该技术开发相控阵主动雷达导引头。

主动雷达导引头发展历中,实际也并非一步到位的直接进入到相控阵雷达时代。

九十年代的主动雷达导引头并不是相控阵体制,那时候是传统的“机扫平板缝隙天线”雷达小型化而来,包括美国ai120、欧洲流星,以上这些皆如此。

相控阵主动雷达导引头,那都是在2000年之后才有所抬头,此时的砷化镓t/r组件小型化逐渐成熟,又是小日本最先吃螃蟹,他们研制于2002年aa4b中距弹就采用相控阵主动导引头。

aa4b采用有源相控阵主动导引头,能够提高探测距离、抗干扰、在对一些雷达隐身目标的探测能力也还不错,这实用化速度甚至比他美爹都来的更快。

现在九十年代初期,607所要准备上马相控阵雷达主动导引头,汪正国也能表示:你们高兴便好。

上位面之所以是在2000年之后才开始有主动相控阵雷达头,是因为早期“机扫平板缝隙天线”主动导引头发展足够成熟,毕竟那是美帝ai120证明过的道路,后来者也都争相效仿。

再有一点,砷化镓t/r组件的小型化一直到2000年之后才逐渐成熟,并且还要把成本控制下去,否则又如何能用于空空导弹这种一次性产品中。

&ne&ns工艺,一次性解决了生产成本和小型化两个问题,唯一不足之处是功率方面还是比不上砷化镓t/r组件。

但很多问题都要一分为二的看待,如果不和砷化镓t/r组件去比功率,转而和同时期的ai120、流星这些采用“机扫平板缝隙天线”导引头相比,这两者功率其实相差不大。

国内目前才刚把半主动雷达导引头的课补上,主动雷达导引头技术完全还没想过,更不用说从别处去找技术参考。

607所在相控阵雷达上面有技术积累,现在正好找到比较合适的新型半导体工艺来生产适用于弹载导引头的t/r组件,那为什么不能直接走相控路线?

随着国内半导体加工精度不断提高,采用si&ns工艺制造的t/r组件也会进一步增加功率,纵然无法跟采用砷化镓t/r组件的主动雷达导引头相比,但只要能和同期一票“机扫平板缝隙天线”持平便够了,况且si&ns工艺制造的t/r组件成本也能够得到有效控制。

只要拿出的产品性能可以和同时期国际水平相当,价格不比它们贵,至于采用什